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產(chǎn)品分類

環(huán)境試驗(yàn)實(shí)驗(yàn)室儀器

電力測(cè)試產(chǎn)品系列

電熱電器系列

絕緣材料系列

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材料的介電常數(shù)測(cè)試方法 阻抗分析儀6632
發(fā)布者：揚(yáng)州市拓騰電氣有限公司 發(fā)布時(shí)間：2022/10/13

      介電常數(shù)測(cè)試儀由阻抗分析儀、測(cè)試裝置，標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對(duì)各種薄膜（10μm-200μm）,板材及液態(tài)絕緣材料進(jìn)行高低頻介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗(D) 的測(cè)試。它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。


高速5G需要低介電損耗的材料

      高速5G通信時(shí)代來臨.具備低延遲.高速傳輸?shù)耐ㄓ嵀h(huán)境下. 結(jié)合AI人工智慧發(fā)展更多高速串流的應(yīng)用.像是智慧零售賣場.智慧制造工廠、汽車自動(dòng)駕駛.這樣的高速信號(hào)傳輸非常倚賴高效能的天線進(jìn)行收發(fā).并且透過低介電損耗特性傳達(dá)介質(zhì)。

線路板、電子元器件跟.上5G要求各大廠開始開發(fā)低介電損耗之材料

      5G要求下除了建制完善的基地臺(tái).設(shè)置網(wǎng)域與硬體設(shè)施等基礎(chǔ)建設(shè)之外�；貧w信號(hào)傳輸最根本的基底是如何提升終端通信產(chǎn)品自身內(nèi)部的信號(hào)傳輸效能。在大量的數(shù)據(jù)傳輸環(huán)境下.傳遞速率要求越來越快，而透過介質(zhì)進(jìn)行信號(hào)的傳遞.此時(shí)傳輸排線就是擔(dān)當(dāng)重要的介質(zhì)角色.因此成為5G通信下保持?jǐn)?shù)據(jù)傳輸效能的重要組件。

      傳輸排線-般為具備可彎折的柔性線路板FPC排線以及扁平式軟排線FFC制成.影響傳輸信號(hào)的重要關(guān)鍵就在銅箔基板結(jié)構(gòu)內(nèi)的絕緣承接材與絕緣純膠.兩者的介電損耗都會(huì)被要求越低越好.以4G通信大部份都采用Dk落在3.5-5.0. Df大于0.01的高分子樹脂材料。這種介電損耗與吸濕率非常高，無法滿足5G高速通信的材料要求。因此許多材料大廠逐漸往低介電損耗的產(chǎn)品發(fā)展。

什么是介電常數(shù)

介電常數(shù)又稱之介質(zhì)常數(shù)或是電容率.是一種表示絕緣能力特性的一個(gè)系數(shù)，以字母ε表示，

單位為法/米.介電常數(shù)可以說是在電的位移和電場強(qiáng)度之間存在的比例常量.這個(gè)常量在

一個(gè)真空中8.85x 10的-12次方法拉第1米(F/m)。在實(shí)際的工程應(yīng)用中.介電常數(shù)時(shí)常以【相對(duì)介電常數(shù)】的方式來表達(dá)，而不是絕對(duì)值，

相對(duì)介電常數(shù)εr的計(jì)算公式 εr=Cx/ C0

測(cè)量相對(duì)介電常數(shù)的技術(shù)原理:

利用靜電場方式進(jìn)行測(cè)量

1在其兩塊極板之間為真空的時(shí)候測(cè)試電容器的電容CO

2再利用同樣的電容及板間距離，但在極板間加入電介質(zhì)以后，測(cè)得電容Cx值

3套用計(jì)算公式得到相對(duì)介電常數(shù)εr= Cx/ CO

在標(biāo)準(zhǔn)大氣下不含二氧化碳的干燥空氣之相對(duì)電容率為Er= 1.00053

因此在此之下

用此方式得到空氣中的電容Ca來替代CO，進(jìn)行測(cè)量相對(duì)介電常數(shù)εr也有足夠的準(zhǔn)確度

MICROTEST 6632/6630

內(nèi)置介電常數(shù)測(cè)試與掃圖功能

      MICROTEST LCR Meter 6630與阻抗分析儀6632內(nèi)置介電常數(shù)測(cè)試功能.省去人工試算的程序.直接在機(jī)上選擇εr參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與掃圖分析.

      6632與6630搭載專用的介電常數(shù)測(cè)試治具.因應(yīng)各種不同尺寸及軟硬材質(zhì)或薄膜鍍層的

材料.提供對(duì)應(yīng)尺寸的電極頭更換使用.治具連接至儀器6632/6630的BNC接口. 以減少接線造成的干擾誤差.在治具，上有設(shè)計(jì)精確的千分表.可直接測(cè)量材料的厚度。

MICROTEST 6632介電神器 讓PCB Layout更有效率

   -般線路板會(huì)采用不同材質(zhì).如多層板應(yīng)用組合或是上下鍍層薄膜.這些材質(zhì)的高分子材料它的介電特性都不同，當(dāng)應(yīng)用在不同頻率時(shí).介電常數(shù)都不同.往往造成PCB Layout人員在布局線路圖時(shí).因不知道其材質(zhì)的介電常數(shù)導(dǎo)致規(guī)劃不良的L ayout設(shè)計(jì)，利用MICROTEST 6632/6630神器就能快速掌握板材的介電特性。


儀器選型

測(cè)試頻率

治具選型

阻抗分析儀6632






10Hz-1MHz

10Hz-3MHz

10Hz-5MHz

10Hz-10MHz

10Hz-20MHz

10Hz-30MHz

10Hz-50MHz

介電常數(shù)治具（固態(tài)/薄膜材料）

 

LCR電橋測(cè)試儀6630

介電常數(shù)治具（電化學(xué)/液態(tài)材料）

 

技術(shù)參數(shù)

測(cè)量參數(shù)

顯示范圍

|Z|        阻抗

0.000mΩ-9999.99MΩ

R, X     串并聯(lián)電阻、電抗

±0.000mΩ-9999.99MΩ

|Y|       導(dǎo)納

0.00000μS-999.999kS

G, B     電導(dǎo)、電納

±0.00000μS-999.999kS

θRAD

±0.00000-3.14159

θDEG

±0.000 -180.000

Cs, Cp

±0.00000pF-9999.99F 

Ls, Lp

±0.00nH-9999.99kH

D         損耗因子

0.00000-9999.99

Q         品質(zhì)因子

0.00-9999.99

Δ

±0.00%-9999.99%

Rdc

0.00mΩ-99.9999MΩ

εr' εr''  相對(duì)介電常數(shù)

0-100000

μr' μr''  相對(duì)電磁率

0-100000

測(cè)量頻率點(diǎn)數(shù)

可程序

頻率最小分辨率

100mHz, 6位數(shù)頻率輸入

7ppm ±0.01% (頻率輸出精準(zhǔn)度)

基本精確度

±0.08% (典型值±0.05%)

AC測(cè)試信號(hào)位準(zhǔn)

 

測(cè)試信號(hào)電壓范圍

10mV-2Vrms

電壓最小分辨率

1mV

準(zhǔn)確度

ALC OFF：10% * 設(shè)定電壓 ±2mV

ALC ON：6% * 設(shè)定電壓 ±2mV

測(cè)試信號(hào)電流范圍

200μA-20mArms

電流最小分辨率

10μA

準(zhǔn)確度

ALC OFF：10% * 設(shè)定電流 ±20μA                     

DC信號(hào)

1V(固定)

輸出阻抗

25Ω、100Ω (可切換)

量測(cè)時(shí)間

<3mS  (最快)

量測(cè)模式

數(shù)字電橋模式

多步模式

等效電路

串聯(lián)、并聯(lián)

校正

開路、短路、負(fù)載

線長補(bǔ)償

0/0.5/1/2m

多步測(cè)試

50組 ，每組15個(gè)測(cè)試步驟

內(nèi)建

直流偏置電壓

-12 to +12V, 0.3% ±1.5mV, 100Hz to 50MHz

BIN分類

9級(jí) (最大)

比較器

ABS、ΔABS、Δ%、OFF

內(nèi)建儲(chǔ)存

100組LCR Meter測(cè)試設(shè)定文件 、50組多步測(cè)試設(shè)定

USB Host 儲(chǔ)存

100組LCR Meter測(cè)試設(shè)定文件 、50組多步測(cè)試設(shè)定

觸發(fā)測(cè)試方式

LCR Meter測(cè)試設(shè)定文件

多步測(cè)試設(shè)定文件

界面

自動(dòng)、手動(dòng)、RS-232、GPIB、Handler

選購

PC連線軟件

電源需求

電壓 90-264Vac

頻率 47-63Hz

低功耗：更大30W

液晶屏幕

7吋TFT, 彩色顯示 (800*480)

操作環(huán)境

溫度：10-40℃、濕度：20-90%RH

外觀尺寸

(W*H*D)

336x147x340   mm

 

重量

3.95Kg



Z|(阻抗)、|Y|(導(dǎo)納)、θ(相位角)、X(電抗)、R(串并聯(lián)電阻)、G(電導(dǎo))、B(電納)、L(電感)、D(損耗因子)、Q(品質(zhì)因子)、DCR(直流電阻) 、C(電容)、 Vdc-Idc(直流電壓電流)、ESR(等效串聯(lián)電阻) 、ε (相對(duì)介電系數(shù))、μr (相對(duì)導(dǎo)磁系數(shù))